Datasheet

2002 Feb 04 6
Philips Semiconductors Product specification
NPN general purpose transistors BC846; BC847; BC848
handbook, halfpage
MGT727
10
−1
11010
2
10
3
I
C
(mA)
0
600
500
400
300
200
100
h
FE
(1)
(2)
(3)
Fig.6 DC current gain as a function of collector
current; typical values.
BC847B; V
CE
=5V.
(1) T
amb
= 150 °C.
(2) T
amb
=25°C.
(3) T
amb
= −55 °C.
handbook, halfpage
0
1200
1000
800
600
400
200
MGT728
10
−2
10
−1
11010
2
10
3
I
C
(mA)
V
BE
(mV)
(1)
(2)
(3)
Fig.7 Base-emitter voltage as a function of
collector current; typical values.
BC847B; V
CE
=5V.
(1) T
amb
= −55 °C.
(2) T
amb
=25°C.
(3) T
amb
= 150 °C.
handbook, halfpage
10
4
10
3
10
2
10
MGT729
10
−1
11010
2
10
3
I
C
(mA)
V
CEsat
(mV)
(1)
(2)
(3)
Fig.8 Collector-emitter saturation voltage as a
function of collector current; typical values.
BC847B; I
C
/I
B
= 20.
(1) T
amb
= 150 °C.
(2) T
amb
=25°C.
(3) T
amb
= −55 °C.
handbook, halfpage
MGT730
10
−1
11010
2
10
3
I
C
(mA)
0
1200
1000
800
600
400
200
V
BEsat
(mV)
(1)
(2)
(3)
Fig.9 Base-emitter saturation voltage as a
function of collector current; typical values.
BC847B; I
C
/I
B
= 10.
(1) T
amb
= −55 °C.
(2) T
amb
=25°C.
(3) T
amb
= 150 °C.