Datasheet

BC817_BC817W_BC337_6 © NXP B.V. 2009. All rights reserved.
Product data sheet Rev. 06 — 17 November 2009 8 of 19
NXP Semiconductors
BC817; BC817W; BC337
45 V, 500 mA NPN general-purpose transistors
I
C
/I
B
= 10
(1) T
amb
= 150 °C
(2) T
amb
= 25 °C
(3) T
amb
= −55 °C
I
C
/I
B
= 10
(1) T
amb
= 150 °C
(2) T
amb
= 25 °C
(3) T
amb
= −55 °C
Fig 7. Selection -16: Collector-emitter saturation
voltage as a function of collector current;
typical values
Fig 8. Selection -25: Collector-emitter saturation
voltage as a function of collector current;
typical values
I
C
/I
B
= 10
(1) T
amb
= 150 °C
(2) T
amb
= 25 °C
(3) T
amb
= −55 °C
Fig 9. Selection -40: Collector-emitter saturation voltage as a function of collector current; typical values
006aaa137
I
C
(mA)
10
−1
10
3
10
2
110
10
−1
1
V
CEsat
(V)
10
−2
(1)
(2)
(3)
006aaa138
10
−1
10
−2
1
V
CEsat
(V)
10
−3
I
C
(mA)
10
−1
10
3
10
2
110
(1)
(2)
(3)
006aaa139
10
−1
10
−2
1
V
CEsat
(V)
10
−3
I
C
(mA)
10
−1
10
3
10
2
110
(1)
(2)
(3)