Datasheet

BC817_BC817W_BC337_6 © NXP B.V. 2009. All rights reserved.
Product data sheet Rev. 06 — 17 November 2009 6 of 19
NXP Semiconductors
BC817; BC817W; BC337
45 V, 500 mA NPN general-purpose transistors
V
CE
= 1 V
(1) T
amb
= 150 °C
(2) T
amb
= 25 °C
(3) T
amb
= −55 °C
V
CE
= 1 V
(1) T
amb
= 150 °C
(2) T
amb
= 25 °C
(3) T
amb
= −55 °C
Fig 1. Selection -16: DC current gain as a function of
collector current; typical values
Fig 2. Selection -25: DC current gain as a function of
collector current; typical values
V
CE
= 1 V
(1) T
amb
= 150 °C
(2) T
amb
= 25 °C
(3) T
amb
= −55 °C
Fig 3. Selection -40: DC current gain as a function of collector current; typical values
006aaa131
200
100
300
400
h
FE
0
I
C
(mA)
10
−1
10
3
10
2
110
(1)
(2)
(3)
006aaa132
400
200
600
h
FE
0
I
C
(mA)
10
−1
10
3
10
2
110
(1)
(2)
(3)
006aaa133
400
200
600
800
h
FE
0
I
C
(mA)
10
−1
10
3
10
2
110
(1)
(2)
(3)