Datasheet

2002 Mar 04 4
NXP Semiconductors Product data sheet
Schottky barrier (double) diodes BAT54 series
handbook, halfpage
10
I
F
V
F
(V)
3
10
(mA)
2
10
1
10
1
1.20.80.40
MSA892
(3)(2)(1)
(3)(2)(1)
(1) T
amb
= 125 °C.
(2) T
amb
= 85 °C.
(3) T
amb
= 25 °C.
Fig.3 Forward current as a function of forward
voltage; typical values.
0102030
V (V)
R
10
3
I
R
(μA)
10
2
10
1
10
1
(1)
(2)
(3)
MSA893
(1) T
amb
= 125 °C.
(2) T
amb
= 85 °C.
(3) T
amb
= 25 °C.
Fig.4 Reverse current as a function of reverse
voltage; typical values.
h
andbook, halfpage
0102030
0
5
10
15
V
R
(V)
C
d
(pF)
MSA891
Fig.5 Diode capacitance as a function of reverse
voltage; typical values.
f = 1 MHz; T
amb
= 25 °C.
Fig.6 Reverse recovery definitions.
h
andbook, halfpage
90%
10%
t
f
Q
dI
dt
t
I
F
I
R
MRC129 - 1
F
r