Datasheet

BAT46WJ All information provided in this document is subject to legal disclaimers. © NXP B.V. 2011. All rights reserved.
Product data sheet Rev. 2 — 8 November 2011 5 of 12
NXP Semiconductors
BAT46WJ
Single Schottky barrier diode
(1) T
amb
= 150 C
(2) T
amb
= 125 C
(3) T
amb
=85C
(4) T
amb
=25C
(5) T
amb
= 40 C
(1) T
amb
= 125 C
(2) T
amb
=85C
(3) T
amb
=60C
(4) T
amb
=25C
(5) T
amb
= 40 C
Fig 3. Forward current as a function of forward
voltage; typical values
Fig 4. Reverse current as a function of reverse
voltage; typical values
f=1MHz; T
amb
=25C
Fig 5. Diode capacitance as a function of reverse voltage; typical values
006aac387
V
F
(V)
0.0 1.20.80.4
10
−3
10
−2
10
−1
1
I
F
(A)
10
−4
(1)
(2)
(3)
(4)
(5)
(3)
(4)
(5)
006aac388
I
R
(A)
10
−6
10
−8
10
−7
10
−3
10
−4
10
−5
10
−2
10
−9
V
R
(V)
0 10060 8020 40
(5)
(1)
(2)
(4)
(3)
V
R
(V)
0 1008040 6020
006aac389
35
C
d
(pF)
25
15
5
0
10
20
30