Datasheet

BAS85 All information provided in this document is subject to legal disclaimers. © NXP B.V. 2010. All rights reserved.
Product data sheet Rev. 6 — 10 September 2010 4 of 10
NXP Semiconductors
BAS85
Schottky barrier diode
FR4 PCB, standard footprint (1) T
amb
= 125 °C
(2) T
amb
=85°C
(3) T
amb
=25°C
Fig 1. Average forward current as a function of
ambient temperature; derating curve
Fig 2. Forward current as a function of forward
voltage; typical values
(1) T
amb
=85°C
(2) T
amb
=25°C
(3) T
amb
= −40 °C
f=1MHz; T
amb
=25°C
Fig 3. Reverse current as a function of reverse
voltage; typical values
Fig 4. Diode capacitance as a function of reverse
voltage; typical values
0
50
100
150
200
250
0 50 100 150
I
F(AV)
(mA)
T
amb
(°C)
mra540
1.20.80.40
V
F
(V)
I
F
(mA)
10
3
10
2
10
1
10
−1
mld358
(1) (2) (3)
(1)
(2) (3)
mgc682
10
5
I
R
(nA)
10
4
10
3
10
2
10
−1
10
1
3020
V
R
(V)
100
(1)
(2)
(3)
01020
V
R
(V)
30
12
C
d
(pF)
0
4
8
mgc681