Datasheet

NXP Semiconductors
1PS76SB10
Schottky barrier single diode
1PS76SB10 All information provided in this document is subject to legal disclaimers. © NXP B.V. 2012. All rights reserved
Product data sheet 17 December 2012 3 / 8
10. Characteristics
Table 7. Characteristics
Symbol Parameter Conditions Min Typ Max Unit
I
F
= 0.1 mA; pulsed; t
p
= 300 µs;
δ = 0.02 ; T
amb
= 25 °C
- - 240 mV
I
F
= 1 mA; pulsed; t
p
= 300 µs;
δ = 0.02 ; T
amb
= 25 °C
- - 320 mV
I
F
= 10 mA; pulsed; t
p
= 300 µs;
δ = 0.02 ; T
amb
= 25 °C
- - 400 mV
I
F
= 30 mA; pulsed; t
p
= 300 µs;
δ = 0.02 ; T
amb
= 25 °C
- - 500 mV
V
F
forward voltage
I
F
= 100 mA; pulsed; t
p
= 300 µs;
δ = 0.02 ; T
amb
= 25 °C
- - 800 mV
I
R
reverse current V
R
= 25 V; pulsed; t
p
= 300 µs;
δ = 0.02 ; T
amb
= 25 °C
- - 2 µA
C
d
diode capacitance V
R
= 1 V; f = 1 MHz; T
amb
= 25 °C - - 10 pF
006aac829
V
F
(V)
0.0 1.20.80.4
1
10
10
2
10
3
I
F
(mA)
10
-1
(1)
(1)
(2)
(2) (3)
(3)
(1) T
amb
= 125 °C
(2) T
amb
= 85 °C
(3) T
amb
= 25 °C
Fig. 1. Forward current as a function of forward
voltage; typical values
aaa-004515
V
R
(V)
0 302010
1
10
10
2
10
3
I
R
(µA)
10
-1
(1)
(2)
(3)
(1) T
amb
= 125 °C
(2) T
amb
= 85 °C
(3) T
amb
= 25 °C
Fig. 2. Reverse current as a function of reverse
voltage; typical values