Datasheet
NXP Semiconductors
PXT2907A
60 V, 600 mA, PNP switching transistor
PXT2907A All information provided in this document is subject to legal disclaimers. © NXP Semiconductors N.V. 2014. All rights reserved
Product data sheet 10 October 2014 7 / 15
aaa-013777
100
200
300
h
FE
0
I
C
(mA)
-10
-1
-10
3
-10
2
-1 -10
(1)
(2)
(3)
V
CE
= -2 V
(1) T
amb
= 100 °C
(2) T
amb
= 25 °C
(3) T
amb
= −55 °C
Fig. 5. DC current gain as a function of collector
current; typical values
V
CE
(V)
0 -10-8-4 -6-2
aaa-013778
-0.4
-0.2
-0.6
-0.8
I
C
(A)
0
I
B
= -12 mA
-10.8
-9.6
-8.4
-7.2
-6.0
-3.6
-4.8
-2.4
-1.2
T
amb
= 25 °C
Fig. 6. Collector current as a function of collector-
emitter voltage; typical values
aaa-013779
-0.6
-0.8
-0.4
-1.0
-1.2
V
BE
(V)
-0.2
I
C
(mA)
-10
-1
-10
3
-10
2
-1 -10
(1)
(2)
(3)
V
CE
= -2 V
(1) T
amb
= −55 °C
(2) T
amb
= 25 °C
(3) T
amb
= 100 °C
Fig. 7. Base-emitter voltage as a function of collector
current; typical values
aaa-013780
-0.6
-0.8
-0.4
-1.0
-1.2
V
BEsat
(V)
-0.2
I
C
(mA)
-10
-1
-10
3
-10
2
-1 -10
(3)
(2)
(1)
I
C
/I
B
= 10
(1) T
amb
= −55 °C
(2) T
amb
= 25 °C
(3) T
amb
= 100 °C
Fig. 8. Base-emitter saturation voltage as a function of
collector current; typical values