Datasheet

NXP Semiconductors
PXT2222A
NPN switching transistors
PXT2222A All information provided in this document is subject to legal disclaimers. © NXP Semiconductors N.V. 2014. All rights reserved
Product data sheet 2 April 2014 7 / 15
aaa-011462
200
400
600
h
FE
0
I
C
(mA)
10
-1
10
3
10
2
1 10
(1)
(2)
(3)
V
CE
= 10 V
(1) T
amb
= 150 °C
(2) T
amb
= 25 °C
(3) T
amb
= −55 °C
Fig. 5. DC current gain as a function of collector
current; typical values
V
CE
(V)
0 1084 62
aaa-011463
0.4
0.2
0.6
0.8
I
C
(A)
0
I
B
= 13 mA
1.3
2.6
3.9
5.2
6.5
7.8
9.1
11.7
10.4
T
amb
= 25 °C
Fig. 6. Collector current as a function of collector-
emitter voltage; typical values
aaa-011464
0.4
0.8
1.2
V
BE
(V)
0
I
C
(mA)
10
-1
10
3
10
2
1 10
(1)
(2)
(3)
V
CE
= 1 V
(1) T
amb
= −55 °C
(2) T
amb
= 25 °C
(3) T
amb
= 150 °C
Fig. 7. Base-emitter voltage as a function of collector
current; typical values
aaa-011465
0.6
0.8
0.4
1.0
1.2
V
BEsat
(V)
0.2
I
C
(mA)
10
-1
10
3
10
2
1 10
(1)
(2)
(3)
I
C
/I
B
= 10
(1) T
amb
= −55 °C
(2) T
amb
= 25 °C
(3) T
amb
= 150 °C
Fig. 8. Base-emitter saturation voltage as a function of
collector current; typical values