Datasheet

NXP Semiconductors
PXT2222A
NPN switching transistors
PXT2222A All information provided in this document is subject to legal disclaimers. © NXP Semiconductors N.V. 2014. All rights reserved
Product data sheet 2 April 2014 6 / 15
10. Characteristics
Table 7. Characteristics
Symbol Parameter Conditions Min Typ Max Unit
V
CB
= 60 V; I
E
= 0 A; T
amb
= 25 °C - - 10 nAI
CBO
collector-base cut-off
current
V
CB
= 60 V; I
E
= 0 A; T
j
= 125 °C - - 10 µA
I
EBO
emitter-base cut-off
current
V
EB
= 5 V; I
C
= 0 A; T
amb
= 25 °C - - 10 nA
V
CE
= 10 V; I
C
= 0.1 mA; T
amb
= 25 °C 35 - -
V
CE
= 10 V; I
C
= 1 mA; T
amb
= 25 °C 50 - -
V
CE
= 10 V; I
C
= 10 mA; T
amb
= 25 °C 75 - -
V
CE
= 10 V; I
C
= 10 mA; T
j
= -55 °C 35 - -
V
CE
= 1 V; I
C
= 150 mA; t
p
≤ 300 µs;
δ ≤ 0.02; T
amb
= 25 °C; pulsed
50 - -
V
CE
= 10 V; I
C
= 150 mA; t
p
≤ 300 µs;
δ ≤ 0.02; T
amb
= 25 °C; pulsed
100 - 300
h
FE
DC current gain
V
CE
= 10 V; I
C
= 500 mA; t
p
≤ 300 µs;
δ ≤ 0.02; T
amb
= 25 °C; pulsed
40 - -
I
C
= 150 mA; I
B
= 15 mA; T
amb
= 25 °C - - 300 mVV
CEsat
collector-emitter
saturation voltage
I
C
= 500 mA; I
B
= 50 mA; T
amb
= 25 °C - - 1 V
I
C
= 150 mA; I
B
= 15 mA; T
amb
= 25 °C 0.6 - 1.2 VV
BEsat
base-emitter saturation
voltage
I
C
= 500 mA; I
B
= 50 mA; T
amb
= 25 °C - - 2 V
t
d
delay time - - 15 ns
t
r
rise time - - 20 ns
t
on
turn-on time - - 35 ns
t
s
storage time - - 200 ns
t
f
fall time - - 60 ns
t
off
turn-off time
I
C
= 150 mA; I
Bon
= 15 mA;
I
Boff
= -15 mA; T
amb
= 25 °C
- - 250 ns
C
C
collector capacitance V
CB
= 10 V; I
E
= 0 A; i
e
= 0 A;
f = 1 MHz; T
amb
= 25 °C
- - 8 pF
C
E
emitter capacitance V
EB
= 500 mV; I
C
= 0 A; i
c
= 0 A;
f = 1 MHz; T
amb
= 25 °C
- - 25 pF
f
T
transition frequency V
CE
= 10 V; I
C
= 20 mA; f = 100 MHz;
T
amb
= 25 °C
300 - - MHz
NF noise figure V
CE
= 5 V; I
C
= 200 µA; R
S
= 2 kΩ;
f = 1 kHz; B = 200 Hz; T
amb
= 25 °C
- - 4 dB