Datasheet

PEMD16_PUMD16 All information provided in this document is subject to legal disclaimers. © NXP B.V. 2011. All rights reserved.
Product data sheet Rev. 3 — 28 June 2011 6 of 11
NXP Semiconductors
PEMD16; PUMD16
NPN/PNP resistor-equipped transistors; R1 = 22 k, R2 = 47 k
V
CE
= 5V
(1) T
amb
= 100 C
(2) T
amb
=25C
(3) T
amb
= 40 C
I
C
/I
B
=20
(1) T
amb
= 100 C
(2) T
amb
=25C
(3) T
amb
= 40 C
Fig 5. TR2 (PNP): DC current gain as a function of
collector current; typical values
Fig 6. TR2 (PNP): Collector-emitter saturation
voltage as a function of collector current;
typical values
V
CE
= 0.3 V
(1) T
amb
= 40 C
(2) T
amb
=25C
(3) T
amb
= 100 C
V
CE
= 5V
(1) T
amb
= 40 C
(2) T
amb
=25C
(3) T
amb
= 100 C
Fig 7. TR2 (PNP): On-state input voltage as a
function of collector current; typical values
Fig 8. TR2 (PNP): Off-state input voltage as a
function of collector current; typical values
I
C
(mA)
−10
−1
−10
2
−10−1
006aaa198
10
2
10
10
3
h
FE
1
(1)
(3)
(2)
006aaa199
I
C
(mA)
−10
−1
−10
2
−10−1
−10
2
−10
3
V
CEsat
(mV)
−10
(1)
(2)
(3)
006aaa200
I
C
(mA)
−10
−1
−10
2
−10−1
−10
3
−10
4
V
I(on)
(mV)
−10
2
(1)
(2)
(3)
006aaa201
I
C
(mA)
−10
−2
−10−1−10
−1
−10
3
−10
4
V
I(off)
(mV)
−10
2
(1)
(2)
(3)