Datasheet

PEMD16_PUMD16 All information provided in this document is subject to legal disclaimers. © NXP B.V. 2011. All rights reserved.
Product data sheet Rev. 3 — 28 June 2011 5 of 11
NXP Semiconductors
PEMD16; PUMD16
NPN/PNP resistor-equipped transistors; R1 = 22 k, R2 = 47 k
V
CE
=5V
(1) T
amb
= 100 C
(2) T
amb
=25C
(3) T
amb
= 40 C
I
C
/I
B
=20
(1) T
amb
= 100 C
(2) T
amb
=25C
(3) T
amb
= 40 C
Fig 1. TR1 (NPN): DC current gain as a function of
collector current; typical values
Fig 2. TR1 (NPN): Collector-emitter saturation
voltage as a function of collector current;
typical values
V
CE
=0.3V
(1) T
amb
= 40 C
(2) T
amb
=25C
(3) T
amb
= 100 C
V
CE
=5V
(1) T
amb
= 40 C
(2) T
amb
=25C
(3) T
amb
= 100 C
Fig 3. TR1 (NPN): On-state input voltage as a
function of collector current; typical values
Fig 4. TR1 (NPN): Off-state input voltage as a
function of collector current; typical values
I
C
(mA)
10
−1
10
2
101
006aaa174
10
2
10
10
3
h
FE
1
(1)
(2)
(3)
I
C
(mA)
110
2
10
006aaa175
10
2
10
3
V
CEsat
(mV)
10
(1)
(2)
(3)
006aaa176
I
C
(mA)
10
−1
10
2
101
1
10
V
I(on)
(V)
10
−1
(1)
(3)
(2)
006aaa177
I
C
(mA)
10
−2
10110
−1
1
10
V
I(off)
(V)
10
−1
(1)
(3)
(2)