Datasheet

2004 Jan 21 5
NXP Semiconductors Product data sheet
NPN switching transistor PMST3904
handbook, halfpage
MGU821
h
FE
100
0
200
400
300
500
I
C
(mA)
10
−1
11010
2
10
3
(1)
(2)
(3)
Fig.2 DC current gain; typical values.
V
CE
= 1 V.
(1) T
amb
= 150 °C.
(2) T
amb
= 25 °C.
(3) T
amb
= −55 °C.
Fig.3 Collector current as a function of
collector-emitter voltage.
(1) I
B
= 5 mA.
(2) I
B
= 4.5 mA.
(3) I
B
= 4 mA.
(4) I
B
= 3.5 mA.
(5) I
B
= 3 mA.
(6) I
B
= 2.5 mA.
(7) I
B
= 2 mA.
(8) I
B
= 1.5 mA.
(9) I
B
= 1 mA.
(10) I
B
= 0.5 mA.
handbook, halfpage
I
C
(mA)
062810
V
CE
(V)
4
0
250
150
200
50
100
MGU822
(1) (2) (3) (4) (5) (6) (7)
(8)
(9)
(10)
T
amb
= 25 °C.
handbook, halfpage
MGU823
V
BE
(mV)
400
200
600
1000
800
1200
I
C
(mA)
10
−1
11010
2
10
3
(1)
(2)
(3)
Fig.4 Base-emitter voltage as a function of
collector current.
V
CE
= 1 V.
(1) T
amb
= −55 °C.
(2) T
amb
= 25 °C.
(3) T
amb
= 150 °C.
handbook, halfpage
MGU824
V
BEsat
(mV)
600
1000
400
200
800
1200
I
C
(mA)
10
−1
11010
2
10
3
(1)
(2)
(3)
Fig.5 Base-emitter saturation voltage as a
function of collector current.
I
C
/I
B
= 10.
(1) T
amb
= −55 °C.
(2) T
amb
= 25 °C.
(3) T
amb
= 150 °C.