Datasheet

PMBTA44_1 © NXP B.V. 2008. All rights reserved.
Product data sheet Rev. 01 — 22 February 2008 7 of 12
NXP Semiconductors
PMBTA44
400 V, 0.3 A NPN high-voltage low V
CEsat
(BISS) transistor
I
C
/I
B
=5
(1) T
amb
= 100 °C
(2) T
amb
=25°C
(3) T
amb
= −55 °C
I
C
/I
B
=5
(1) T
amb
= 100 °C
(2) T
amb
=25°C
(3) T
amb
= −55 °C
Fig 7. Collector-emitter saturation voltage as a
function of collector current; typical values
Fig 8. Collector-emitter saturation resistance as a
function of collector current; typical values
006aab194
I
C
(mA)
10
−1
10
3
10
2
110
10
−1
1
V
CEsat
(V)
10
−2
(1)
(2)
(3)
006aab195
I
C
(mA)
10
−1
10
3
10
2
110
1
10
10
2
10
3
R
CEsat
(Ω)
10
−1
(1)
(2)
(3)