Datasheet

PMBTA44_1 © NXP B.V. 2008. All rights reserved.
Product data sheet Rev. 01 — 22 February 2008 6 of 12
NXP Semiconductors
PMBTA44
400 V, 0.3 A NPN high-voltage low V
CEsat
(BISS) transistor
V
CE
=10V
(1) T
amb
= 100 °C
(2) T
amb
=25°C
(3) T
amb
= −55 °C
T
amb
=25°C
Fig 3. DC current gain as a function of collector
current; typical values
Fig 4. Collector current as a function of
collector-emitter voltage; typical values
V
CE
=10V
(1) T
amb
= −55 °C
(2) T
amb
=25°C
(3) T
amb
= 100 °C
I
C
/I
B
=5
(1) T
amb
= −55 °C
(2) T
amb
=25°C
(3) T
amb
= 100 °C
Fig 5. Base-emitter voltage as a function of collector
current; typical values
Fig 6. Base-emitter saturation voltage as a function of
collector current; typical values
006aab190
100
50
150
200
h
FE
0
I
C
(mA)
10
−1
10
3
10
2
110
(3)
(2)
(1)
006aab191
V
CE
(V)
054231
0.1
0.2
0.3
I
C
(A)
0
I
B
(mA) = 26
10.4
13
7.8
5.2
2.6
23.4
18.2
20.8
15.6
006aab192
0.4
0.8
1.2
V
BE
(V)
0
I
C
(mA)
10
−1
10
3
10
2
110
(3)
(2)
(1)
006aab193
I
C
(mA)
10
−1
10
3
10
2
110
0.4
0.8
1.2
V
BEsat
(V)
0
(3)
(2)
(1)