Datasheet
PMBT3946YPN_1 © NXP B.V. 2009. All rights reserved.
Product data sheet Rev. 01 — 12 May 2009 9 of 15
NXP Semiconductors
PMBT3946YPN
40 V, 200 mA NPN/PNP general-purpose double transistor
V
CE
= −1V
(1) T
amb
= 150 °C
(2) T
amb
=25°C
(3) T
amb
= −55 °C
T
amb
=25°C
Fig 8. TR2 (PNP): DC current gain as a function of
collector current; typical values
Fig 9. TR2 (PNP): Collector current as a function of
collector-emitter voltage; typical values
V
CE
= −1V
(1) T
amb
= −55 °C
(2) T
amb
=25°C
(3) T
amb
= 150 °C
I
C
/I
B
=10
(1) T
amb
= −55 °C
(2) T
amb
=25°C
(3) T
amb
= 150 °C
Fig 10. TR2 (PNP): Base-emitter voltage as a function
of collector current; typical values
Fig 11. TR2 (PNP): Base-emitter saturation voltage as
a function of collector current; typical values
006aab120
200
100
300
400
h
FE
0
I
C
(mA)
−10
−1
−10
3
−10
2
−1 −10
(1)
(2)
(3)
V
CE
(V)
0 −10−8−4 −6−2
006aab121
−0.1
−0.2
−0.3
I
C
(A)
0
I
B
(mA) = −5.0
−4.5
−4.0
−3.5
−3.0
−0.5
−1.0
−2.5
−1.5
−2.0
006aab123
−0.6
−0.8
−0.4
−1.0
−1.2
V
BE
(V)
−0.2
I
C
(mA)
−10
−1
−10
3
−10
2
−1 −10
(1)
(2)
(3)
006aab124
−0.6
−0.8
−0.4
−1.0
−1.2
V
BEsat
(V)
−0.2
I
C
(mA)
−10
−1
−10
3
−10
2
−1 −10
(1)
(2)
(3)