Datasheet

PMBT3906VS_1 © NXP B.V. 2009. All rights reserved.
Product data sheet Rev. 01 — 20 August 2009 6 of 11
NXP Semiconductors
PMBT3906VS
40 V, 200 mA PNP/PNP switching transistor
V
CE
= −1V
(1) T
amb
= −55 °C
(2) T
amb
=25°C
(3) T
amb
= 150 °C
I
C
/I
B
=10
(1) T
amb
= −55 °C
(2) T
amb
=25°C
(3) T
amb
= 150 °C
Fig 5. Per transistor:
Base-emitter voltage as a function of collector
current; typical values
Fig 6. Per transistor:
Base-emitter saturation voltage as a function
of collector current; typical values
I
C
/I
B
=10
(1) T
amb
= 150 °C
(2) T
amb
=25°C
(3) T
amb
= −55 °C
Fig 7. Per transistor: Collector-emitter saturation voltage as a function of collector current; typical values
006aab123
−0.6
−0.8
−0.4
−1.0
−1.2
V
BE
(V)
−0.2
I
C
(mA)
−10
−1
−10
3
−10
2
−1 −10
(1)
(2)
(3)
006aab124
−0.6
−0.8
−0.4
−1.0
−1.2
V
BEsat
(V)
−0.2
I
C
(mA)
−10
−1
−10
3
−10
2
−1 −10
(1)
(2)
(3)
006aab122
I
C
(mA)
−10
−1
−10
3
−10
2
−1 −10
−10
−1
−1
V
CEsat
(V)
−10
−2
(1)
(2)
(3)