Datasheet

PMBT3906_6 All information provided in this document is subject to legal disclaimers. © NXP B.V. 2010. All rights reserved.
Product data sheet Rev. 06 — 2 March 2010 4 of 11
NXP Semiconductors
PMBT3906
PNP switching transistor
V
CE
= −1V
(1) T
amb
= 150 °C
(2) T
amb
=25°C
(3) T
amb
= −55 °C
T
amb
=25°C
Fig 1. DC current gain as a function of collector
current; typical values
Fig 2. Collector current as a function of
collector-emitter voltage; typical values
V
CE
= −1V
(1) T
amb
= −55 °C
(2) T
amb
=25°C
(3) T
amb
= 150 °C
I
C
/I
B
=10
(1) T
amb
= −55 °C
(2) T
amb
=25°C
(3) T
amb
= 150 °C
Fig 3. Base-emitter voltage as a function of
collector current; typical values
Fig 4. Base-emitter saturation voltage as a function
of collector current; typical values
0
400
600
200
mhc459
−10
−1
−1 −10
I
C
(mA)
h
FE
−10
2
−10
3
(1)
(3)
(2)
0 −10
−250
0
−50
−100
−150
−200
−2
V
CE
(V)
I
C
(mA)
−4 −6 −8
006aab845
I
B
(mA) = −1.5
−1.05
−0.75
−0.45
−0.15
−0.3
−0.6
−0.9
−1.2
−1.35
mhc461
−600
−800
−400
−1000
−1200
V
BE
(mV)
−200
I
C
(mA)
−10
−1
−10
3
−10
2
−1 −10
(1)
(2)
(3)
mhc462
−600
−800
−400
−1000
−1200
V
BEsat
(mV)
−200
I
C
(mA)
−10
−1
−10
3
−10
2
−1 −10
(1)
(2)
(3)