Datasheet

PMBT3904VS_1 © NXP B.V. 2009. All rights reserved.
Product data sheet Rev. 01 — 8 July 2009 6 of 11
NXP Semiconductors
PMBT3904VS
40 V, 200 mA NPN/NPN switching transistor
V
CE
=1V
(1) T
amb
= −55 °C
(2) T
amb
=25°C
(3) T
amb
= 150 °C
I
C
/I
B
=10
(1) T
amb
= −55 °C
(2) T
amb
=25°C
(3) T
amb
= 150 °C
Fig 5. Per transistor:
Base-emitter voltage as a function of collector
current; typical values
Fig 6. Per transistor:
Base-emitter saturation voltage as a function
of collector current; typical values
I
C
/I
B
=10
(1) T
amb
= 150 °C
(2) T
amb
=25°C
(3) T
amb
= −55 °C
Fig 7. Per transistor: Collector-emitter saturation voltage as a function of collector current; typical values
006aab117
0.4
0.8
1.2
V
BE
(V)
0
I
C
(mA)
10
−1
10
3
10
2
110
(1)
(2)
(3)
006aab118
I
C
(mA)
10
−1
10
3
10
2
110
0.5
0.9
1.3
V
BEsat
(V)
0.1
(1)
(2)
(3)
006aab119
I
C
(mA)
10
−1
10
3
10
2
110
10
−1
1
V
CEsat
(V)
10
−2
(1)
(3)
(2)