Datasheet

PIMN31_1 © NXP B.V. 2007. All rights reserved.
Product data sheet Rev. 01 — 19 June 2007 5 of 11
NXP Semiconductors
PIMN31
500 mA, 50 V NPN/NPN double RET; R1 = 1 kΩ, R2 = 10 kΩ
V
CE
=5V
(1) T
amb
= 100 °C
(2) T
amb
=25°C
(3) T
amb
= −40 °C
I
C
/I
B
=20
(1) T
amb
= 100 °C
(2) T
amb
=25°C
(3) T
amb
= −40 °C
Fig 3. DC current gain as a function of collector
current; typical values
Fig 4. Collector-emitter saturation voltage as a
function of collector current; typical values
I
C
/I
B
=50
(1) T
amb
= 100 °C
(2) T
amb
=25°C
(3) T
amb
= −40 °C
Fig 5. Collector-emitter saturation voltage as a function of collector current; typical values
006aaa314
10
2
10
10
3
h
FE
1
I
C
(mA)
10
−1
10
3
10
2
110
(1)
(2)
(3)
006aaa315
I
C
(mA)
110
3
10
2
10
10
−1
V
CEsat
(V)
10
−2
(1)
(2)
(3)
006aab055
I
C
(mA)
110
3
10
2
10
10
−1
1
V
CEsat
(V)
10
−2
(1)
(2)
(3)