Datasheet

NXP Semiconductors
PHPT61003PY
100 V, 3A PNP high power bipolar transistor
PHPT61003PY All information provided in this document is subject to legal disclaimers. © NXP N.V. 2014. All rights reserved
Product data sheet 13 January 2014 7 / 15
Symbol Parameter Conditions Min Typ Max Unit
C
c
collector capacitance V
CB
= -10 V; I
E
= 0 A; i
e
= 0 A;
f = 1 MHz; T
amb
= 25 °C
- 30 - pF
aaa-010858
200
300
100
400
500
h
FE
0
I
C
(mA)
-10
-1
-10
3
-10
3
-1 -10
2
-10
(1)
(3)
(2)
V
CE
= −10 V
(1) T
amb
= 100 °C
(2) T
amb
= 25 °C
(3) T
amb
= −55 °C
Fig. 4. DC current gain as a function of collector
current; typical values
V
CE
(V)
0 542 31
aaa-010859
1.0
1.5
0.5
2.0
2.5
I
C
(A)
0
I
B
= -50 mA
-5
-10
-15
-20
-45
-40
-35
-30
-25
T
amb
= 25 °C
Fig. 5. Collector current as a function of collector-
emitter voltage; typical values
aaa-010860
0.8
0.4
1.2
1.6
V
BE
(V)
0
I
C
(mA)
10
-1
10
4
10
3
1 10
2
10
(1)
(3)
(2)
V
CE
= −2 V
(1) T
amb
= −55 °C
(2) T
amb
= 25 °C
(3) T
amb
= 100 °C
Fig. 6. Base-emitter voltage as a function of collector
current; typical values
aaa-010861
0.6
0.8
0.4
1.0
1.2
V
BEsat
(V)
0.2
I
C
(mA)
-10
-1
-10
4
-10
3
-1 -10
2
-10
(1)
(3)
(2)
I
C
/I
B
= 20
(1) T
amb
= −55 °C
(2) T
amb
= 25 °C
(3) T
amb
= 100 °C
Fig. 7. Base-emitter saturation voltage as a function of
collector current; typical values