Datasheet

NXP Semiconductors
PHPT61003NY
100 V, 3 A NPN high power bipolar transistor
PHPT61003NY All information provided in this document is subject to legal disclaimers. © NXP N.V. 2014. All rights reserved
Product data sheet 3 February 2014 8 / 16
I
C
(mA)
10
-1
10
5
10
4
10
3
1 10
2
10
aaa-010262
0.4
0.8
1.2
V
BE
(V)
0
(1)
(3)
(2)
V
CE
= 2 V
(1) T
amb
= −55 °C
(2) T
amb
= 25 °C
(3) T
amb
= 100 °C
Fig. 6. Base-emitter voltage as a function of collector
current; typical values
I
C
(mA)
10
-1
10
5
10
4
10
3
1 10
2
10
aaa-010265
0.6
1.0
1.4
V
BEsat
(V)
0.2
(1)
(3)
(2)
I
C
/I
B
= 20
(1) T
amb
= −55 °C
(2) T
amb
= 25 °C
(3) T
amb
= 100 °C
Fig. 7. Base-emitter saturation voltage as a function of
collector current; typical values
aaa-010263
10
-1
10
-2
1
V
CEsat
(Ω)
10
-3
I
C
(mA)
10
-1
10
4
10
3
1 10
2
10
(1)
(2)
(3)
I
C
/I
B
= 20
(1) T
amb
= 100 °C
(2) T
amb
= 25 °C
(3) T
amb
= −55 °C
Fig. 8. Collector-emitter saturation voltage as a
function of collector current; typical values
aaa-010264
I
C
(mA)
10
-1
10
4
10
3
1 10
2
10
10
-2
10
-1
1
10
V
CEsat
(V)
10
-3
(1)
(3)
(2)
T
amb
= 25 °C
(1) I
C
/I
B
= 50
(2) I
C
/I
B
= 20
(3) I
C
/I
B
= 10
Fig. 9. Collector-emitter saturation voltage as a
function of collector current; typical values