Datasheet

NXP Semiconductors
PHPT61002PYC
100 V, 2 A PNP high power bipolar transistor
PHPT61002PYC All information provided in this document is subject to legal disclaimers. © NXP N.V. 2014. All rights reserved
Product data sheet 10 January 2014 6 / 15
10. Characteristics
Table 7. Characteristics
Symbol Parameter Conditions Min Typ Max Unit
V
CB
= -80 V; I
E
= 0 A; T
amb
= 25 °C - - -100 nAI
CBO
collector-base cut-off
current
V
CB
= -80 V; I
E
= 0 A; T
j
= 150 °C - - -50 µA
I
CES
collector-emitter cut-off
current
V
CE
= -80 V; V
BE
= 0 V; T
amb
= 25 °C - - -100 nA
I
EBO
emitter-base cut-off
current
V
EB
= -8 V; I
C
= 0 A; T
amb
= 25 °C - - -100 nA
V
CE
= -1.5 V; I
C
= -500 mA;
T
amb
= 25 °C
100 150 -
V
CE
= -10 V; I
C
= -500 mA;
T
amb
= 25 °C
150 220 -
V
CE
= -10 V; I
C
= -1 A; t
p
≤ 300 µs;
δ ≤ 0.02 ; T
amb
= 25 °C; pulsed
80 210 -
h
FE
DC current gain
V
CE
= -10 V; I
C
= -2 A; pulsed;
t
p
≤ 300 µs; δ ≤ 0.02 ; T
amb
= 25 °C
20 100 -
I
C
= -500 mA; I
B
= -50 mA; t
p
≤ 300 µs;
δ ≤ 0.02 ; T
amb
= 25 °C
- -70 -110 mVV
CEsat
collector-emitter
saturation voltage
I
C
= -2 A; I
B
= -200 mA; t
p
≤ 300 µs;
δ ≤ 0.02 ; T
amb
= 25 °C; pulsed
- -250 -400 mV
R
CEsat
collector-emitter
saturation resistance
I
C
= -2 A; I
B
= -200 mA; pulsed;
t
p
≤ 300 µs; δ ≤ 0.02 ; T
amb
= 25 °C
- 125 200 mΩ
V
BEsat
base-emitter saturation
voltage
I
C
= -2 A; I
B
= -200 mA; pulsed;
t
p
≤ 300 µs; δ ≤ 0.02 ; T
amb
= 25 °C
- -1.02 -1.2 V
V
BEon
base-emitter turn-on
voltage
V
CE
= -2 V; I
C
= -0.1 A; T
amb
= 25 °C - -0.67 -0.9 V
t
d
delay time - 20 - ns
t
r
rise time - 180 - ns
t
on
turn-on time - 200 - ns
t
s
storage time - 350 - ns
t
f
fall time - 220 - ns
t
off
turn-off time
V
CC
= -12.5 V; I
C
= -1 A; I
Bon
= -50 mA;
I
Boff
= 50 mA; T
amb
= 25 °C
- 570 - ns
f
T
transition frequency V
CE
= -10 V; I
C
= -100 mA;
f = 100 MHz; T
amb
= 25 °C
- 125 - MHz
C
c
collector capacitance V
CB
= -10 V; I
E
= 0 A; i
e
= 0 A;
f = 1 MHz; T
amb
= 25 °C
- 28 - pF