Datasheet

NXP Semiconductors
PHPT60603PY
60 V, 3 A PNP high power bipolar transistor
PHPT60603PY All information provided in this document is subject to legal disclaimers. © NXP N.V. 2014. All rights reserved
Product data sheet 13 January 2014 7 / 15
Symbol Parameter Conditions Min Typ Max Unit
C
c
collector capacitance V
CB
= -10 V; I
E
= 0 A; i
e
= 0 A;
f = 1 MHz; T
amb
= 25 °C
- 60 - pF
aaa-010536
200
300
100
400
500
h
FE
0
I
C
(mA)
-10
-1
-10
4
-10
3
-1 -10
2
-10
(1)
(2)
(3)
V
CE
= −1 V
(1) T
amb
= 100 °C
(2) T
amb
= 25 °C
(3) T
amb
= −55 °C
Fig. 4. DC current gain as a function of collector
current; typical values
V
CE
(V)
0 542 31
aaa-010537
3.5
I
C
(A)
2.5
1.5
0.5
0
1.0
2.0
3.0
I
B
= -50 mA
-5
-10
-15
-20
-45
-40
-35
-30
-25
T
amb
= 25 °C
Fig. 5. Collector current as a function of collector-
emitter voltage; typical values
aaa-010539
0.4
0.8
1.2
V
BE
(V)
0
I
C
(mA)
10
-1
10
4
10
3
1 10
2
10
(1)
(2)
(3)
V
CE
= −2 V
(1) T
amb
= −55 °C
(2) T
amb
= 25 °C
(3) T
amb
= 100 °C
Fig. 6. Base-emitter voltage as a function of collector
current; typical values
aaa-010540
-0.6
-0.8
-0.4
-1.0
-1.2
V
BEsat
(V)
-0.2
I
C
(mA)
-10
-1
-10
4
-10
3
-1 -10
2
-10
(1)
(2)
(3)
I
C
/I
B
= 20
(1) T
amb
= −55 °C
(2) T
amb
= 25 °C
(3) T
amb
= 100 °C
Fig. 7. Base-emitter saturation voltage as a function of
collector current; typical values