Datasheet

NXP Semiconductors
PHPT60603PY
60 V, 3 A PNP high power bipolar transistor
PHPT60603PY All information provided in this document is subject to legal disclaimers. © NXP N.V. 2014. All rights reserved
Product data sheet 13 January 2014 6 / 15
10. Characteristics
Table 7. Characteristics
Symbol Parameter Conditions Min Typ Max Unit
V
CB
= -48 V; I
E
= 0 A; T
amb
= 25 °C - - -100 nAI
CBO
collector-base cut-off
current
V
CB
= -48 V; I
E
= 0 A; T
j
= 150 °C - - -50 µA
I
CES
collector-emitter cut-off
current
V
CE
= -48 V; V
BE
= 0 V; T
amb
= 25 °C - - -100 nA
I
EBO
emitter-base cut-off
current
V
EB
= -8 V; I
C
= 0 A; T
amb
= 25 °C - - -100 nA
V
CE
= -2 V; I
C
= -500 mA; T
amb
= 25 °C 150 250 -
V
CE
= -2 V; I
C
= -1 A; t
p
≤ 300 µs;
δ ≤ 0.02 ; T
amb
= 25 °C; pulsed
150 225 -
V
CE
= -2 V; I
C
= -2 A; t
p
≤ 300 µs;
δ ≤ 0.02 ; T
amb
= 25 °C; pulsed
80 130 -
h
FE
DC current gain
V
CE
= -2 V; I
C
= -3 A; pulsed;
t
p
≤ 300 µs; δ ≤ 0.02 ; T
amb
= 25 °C
35 75 -
I
C
= -1 A; I
B
= -50 mA; t
p
≤ 300 µs;
δ ≤ 0.02 ; T
amb
= 25 °C
- -100 -225 mVV
CEsat
collector-emitter
saturation voltage
I
C
= -3 A; I
B
= -300 mA; t
p
≤ 300 µs;
δ ≤ 0.02 ; T
amb
= 25 °C; pulsed
- -240 -360 mV
I
C
= -1 A; I
B
= -50 mA; pulsed;
t
p
≤ 300 µs; δ ≤ 0.02 ; T
amb
= 25 °C
- 100 225 mΩR
CEsat
collector-emitter
saturation resistance
I
C
= -3 A; I
B
= -300 mA; pulsed;
t
p
≤ 300 µs; δ ≤ 0.02 ; T
amb
= 25 °C
- 80 120 mΩ
I
C
= -1 A; I
B
= -50 mA; pulsed;
t
p
≤ 300 µs; δ ≤ 0.02 ; T
amb
= 25 °C
- -0.89 -1 VV
BEsat
base-emitter saturation
voltage
I
C
= -2 A; I
B
= -200 mA; pulsed;
t
p
≤ 300 µs; δ ≤ 0.02 ; T
amb
= 25 °C
- -1.02 -1.2 V
V
BEon
base-emitter turn-on
voltage
V
CE
= -2 V; I
C
= -0.1 A; T
amb
= 25 °C - -0.83 -0.9 V
t
d
delay time - 15 - ns
t
r
rise time - 85 - ns
t
on
turn-on time - 100 - ns
t
s
storage time - 350 - ns
t
f
fall time - 110 - ns
t
off
turn-off time
V
CC
= -12.5 V; I
C
= -1 A; I
Bon
= -50 mA;
I
Boff
= 50 mA; T
amb
= 25 °C
- 460 - ns
f
T
transition frequency V
CE
= -10 V; I
C
= -100 mA;
f = 100 MHz; T
amb
= 25 °C
- 110 - MHz