Datasheet

NXP Semiconductors
PHPT60603NY
60V, 3 A NPN high power bipolar transistor
PHPT60603NY All information provided in this document is subject to legal disclaimers. © NXP N.V. 2014. All rights reserved
Product data sheet 10 January 2014 7 / 15
aaa-010143
200
400
600
h
FE
0
I
C
(mA)
10
-1
10
4
10
3
1 10
2
10
(1)
(3)
(2)
V
CE
= 1 V
(1) T
amb
= 100 °C
(2) T
amb
= 25 °C
(3) T
amb
= −55 °C
Fig. 4. DC current gain as a function of collector
current; typical values
V
CE
(V)
0 542 31
aaa-010176
2
3
1
4
5
I
C
(A)
0
I
B
= 50 mA
40
35
45
15
10
5
20
2
5
3
0
T
amb
= 25 °C
Fig. 5. Collector current as a function of collector-
emitter voltage; typical values
aaa-010144
0.8
0.4
1.2
1.6
V
BE
(V)
0
I
C
(mA)
10
-1
10
4
10
3
1 10
2
10
(1)
(3)
(2)
V
CE
= −2 V
(1) T
amb
= −55 °C
(2) T
amb
= 25 °C
(3) T
amb
= 100 °C
Fig. 6. Base-emitter voltage as a function of collector
current; typical values
aaa-010174
0.6
1
1.4
V
BEsat
(V)
0.2
I
C
(mA)
10
-1
10
4
10
3
1 10
2
10
(1)
(2)
(3)
I
C
/I
B
= 20
(1) T
amb
= −55 °C
(2) T
amb
= 25 °C
(3) T
amb
= 100 °C
Fig. 7. Base-emitter saturation voltage as a function of
collector current; typical values