Datasheet

NXP Semiconductors
PHPT60603NY
60V, 3 A NPN high power bipolar transistor
PHPT60603NY All information provided in this document is subject to legal disclaimers. © NXP N.V. 2014. All rights reserved
Product data sheet 10 January 2014 6 / 15
10. Characteristics
Table 7. Characteristics
Symbol Parameter Conditions Min Typ Max Unit
V
CB
= 48 V; I
E
= 0 A; T
amb
= 25 °C - - 100 nAI
CBO
collector-base cut-off
current
V
CB
= 48 V; I
E
= 0 A; T
j
= 150 °C - - 50 µA
I
CES
collector-emitter cut-off
current
V
CE
= 48 V; V
BE
= 0 V; T
amb
= 25 °C - - 100 nA
I
EBO
emitter-base cut-off
current
V
EB
= 7 V; I
C
= 0 A; T
amb
= 25 °C - - 100 nA
V
CE
= 2 V; I
C
= 500 mA; T
amb
= 25 °C 200 400 -
V
CE
= 2 V; I
C
= 1 A; t
p
≤ 300 µs;
δ ≤ 0.02 ; T
amb
= 25 °C
200 330 -
V
CE
= 2 V; I
C
= 2 A; t
p
≤ 300 µs;
δ ≤ 0.02 ; T
amb
= 25 °C
100 180 -
h
FE
DC current gain
V
CE
= 2 V; I
C
= 3 A; t
p
≤ 300 µs;
δ ≤ 0.02 ; T
amb
= 25 °C; pulsed
50 100 -
I
C
= 1 A; I
B
= 50 mA; t
p
≤ 300 µs;
δ ≤ 0.02 ; T
amb
= 25 °C; pulsed
- 70 120 mVV
CEsat
collector-emitter
saturation voltage
- 180 270 mV
R
CEsat
collector-emitter
saturation resistance
I
C
= 3 A; I
B
= 300 mA; pulsed;
t
p
≤ 300 µs; δ ≤ 0.02 ; T
amb
= 25 °C
- 60 90 mΩ
I
C
= 1 A; I
B
= 100 mA; pulsed;
t
p
≤ 300 µs; δ ≤ 0.02 ; T
amb
= 25 °C
- 0.86 1 VV
BEsat
base-emitter saturation
voltage
I
C
= 2 A; I
B
= 200 mA; pulsed;
t
p
≤ 300 µs; δ ≤ 0.02 ; T
amb
= 25 °C
- 1 1.2 V
V
BEon
base-emitter turn-on
voltage
V
CE
= 2 V; I
C
= 0.1 A; T
amb
= 25 °C - 0.65 0.85 V
t
d
delay time - 15 - ns
t
r
rise time - 120 - ns
t
on
turn-on time - 135 - ns
t
s
storage time - 800 - ns
t
f
fall time - 300 - ns
t
off
turn-off time
V
CC
= 12.5 V; I
C
= 1 A; I
Bon
= 0.05 A;
I
Boff
= -0.05 A; T
amb
= 25 °C
- 1100 - ns
f
T
transition frequency V
CE
= 10 V; I
C
= 100 mA; f = 100 MHz;
T
amb
= 25 °C
- 140 - MHz
C
c
collector capacitance V
CB
= 10 V; I
E
= 0 A; i
e
= 0 A;
f = 1 MHz; T
amb
= 25 °C
- 17 - pF