Datasheet

2004 Jan 12 6
NXP Semiconductors Product data sheet
12 V PNP loadswitch PEMF21
handbook, halfpage
−10
3
−10
2
−10
−1
MHC701
−10
−1
−1 −10
V
CEsat
(mV)
I
C
(mA)
−10
2
−10
3
(1)
(2)
(3)
Fig.6 Collector-emitter saturation voltage as a
function of collector current; typical values.
Transistor TR1; I
C
/I
B
= 20.
(1) T
amb
= 150 °C.
(2) T
amb
= 25 °C.
(3) T
amb
= −55 °C.
handbook, halfpage
10
3
10
2
10
1
10
−1
MHC702
−10
−1
−1 −10
R
CEsat
(Ω)
I
C
(mA)
−10
2
−10
3
(1)
(2)
(3)
Fig.7 Equivalent on-resistance as a function of
collector current; typical values.
Transistor TR1; I
C
/I
B
= 20.
(1) T
amb
= −55 °C.
(2) T
amb
= 25 °C.
(3) T
amb
= 150 °C.
handbook, halfpage
MHC703
11010
2
I
C
(mA)
1
V
CEsat
(V)
10
−1
10
−2
(1)
(2)
(3)
Fig.8 Collector-emitter saturation voltage as a
function of collector current; typical values.
Transistor TR2; I
C
/I
B
= 20.
(1) T
amb
= 100 °C.
(2) T
amb
= 25 °C.
(3) T
amb
= −40 °C.
handbook, halfpage
10
3
10
2
10
1
MHC704
10
−1
110
h
FE
I
C
(mA)
10
2
(1)
(2)
(3)
Fig.9 DC current gain as a function of collector
current; typical values.
Transistor TR2; V
CE
= 5 V.
(1) T
amb
= 150 °C.
(2) T
amb
= 25 °C.
(3) T
amb
= −40 °C.