Datasheet

2004 Jan 12 5
NXP Semiconductors Product data sheet
12 V PNP loadswitch PEMF21
handbook, halfpage
0
400
600
200
300
500
100
MHC697
−10
−1
−1 −10
h
FE
I
C
(mA)
−10
2
−10
3
(1)
(2)
(3)
Fig.2 DC current gain as a function of collector
current; typical values.
Transistor TR1; V
CE
= −2 V.
(1) T
amb
= 150 °C.
(2) T
amb
= 25 °C.
(3) T
amb
= −55 °C.
handbook, halfpage
0 −10
V
CE
(V)
−1200
0
−400
−800
−1000
−200
−600
−2 −4 −6
I
C
(mA)
−8
MHC698
(5)
(6)
(7)
(8)
(9)
(10)
(1)
(2)
(3)
(4)
Fig.3 Collector current as a function of
collector-emitter voltage; typical values.
Transistor TR1;
T
amb
= 25 °C.
(1) I
B
= −7.0 mA.
(2) I
B
= −6.3 mA.
(3) I
B
= −5.6 mA.
(4) I
B
= −4.9 mA.
(5) I
B
= −4.2 mA.
(6) I
B
= −3.5 mA.
(7) I
B
= −2.8 mA.
(8) I
B
= −2.1 mA.
(9) I
B
= −1.4 mA.
(10) I
B
= −0.7 mA.
handbook, halfpage
−200
−1200
−400
−600
−800
−1000
MHC699
−10
−1
−1 −10
V
BE
(mV)
I
C
(mA)
−10
2
−10
3
(1)
(2)
(3)
Fig.4 Base-emitter voltage as a function of
collector current; typical values.
Transistor TR1; V
CE
= −2 V.
(1) T
amb
= −55 °C.
(2) T
amb
= 25 °C.
(3) T
amb
= 150 °C.
handbook, halfpage
−200
−1200
−400
−600
−800
−1000
MHC700
−10
−1
−1 −10
V
BEsat
(mV)
I
C
(mA)
−10
2
−10
3
(1)
(2)
(3)
Fig.5 Base-emitter saturation voltage as a
function of collector current; typical values.
Transistor TR1; I
C
/I
B
= 20.
(1) T
amb
= 150 °C.
(2) T
amb
= 25 °C.
(3) T
amb
= −55 °C.