Datasheet

PDTD123E_SER_2 © NXP B.V. 2009. All rights reserved.
Product data sheet Rev. 02 — 16 November 2009 5 of 10
NXP Semiconductors
PDTD123E series
NPN 500 mA resistor-equipped transistors; R1 = 2.2 kΩ, R2 = 2.2 kΩ
V
CE
= 5 V
(1) T
amb
= 100 °C
(2) T
amb
= 25 °C
(3) T
amb
= −40 °C
I
C
/I
B
= 20
(1) T
amb
= 100 °C
(2) T
amb
= 25 °C
(3) T
amb
= −40 °C
Fig 1. DC current gain as a function of collector
current; typical values
Fig 2. Collector-emitter saturation voltage as a
function of collector current; typical values
V
CE
= 0.3 V
(1) T
amb
= −40 °C
(2) T
amb
= 25 °C
(3) T
amb
= 100 °C
V
CE
= 5 V
(1) T
amb
= −40 °C
(2) T
amb
= 25 °C
(3) T
amb
= 100 °C
Fig 3. On-state input voltage as a function of
collector current; typical values
Fig 4. Off-state input voltage as a function of
collector current; typical values
006aaa318
10
1
10
2
10
3
h
FE
10
−1
I
C
(mA)
10
−1
10
3
10
2
110
(1)
(2)
(3)
(1)
(2)
006aaa319
I
C
(mA)
110
2
10
10
−1
V
CEsat
(V)
10
−2
(3)
006aaa320
I
C
(mA)
10
−1
10
3
10
2
110
1
10
V
I(on)
(V)
10
−1
(1)
(2)
(3)
I
C
(mA)
10
−1
101
006aaa321
1
10
V
I(off)
(V)
10
−1
(1)
(2)
(3)