Datasheet

PDTC124X_SER_7 © NXP B.V. 2009. All rights reserved.
Product data sheet Rev. 07 — 16 November 2009 6 of 12
NXP Semiconductors
PDTC124X series
NPN resistor-equipped transistors; R1 = 22 kΩ, R2 = 47 kΩ
V
CE
=5V
(1) T
amb
= 100 °C
(2) T
amb
=25°C
(3) T
amb
= −40 °C
I
C
/I
B
=20
(1) T
amb
= 100 °C
(2) T
amb
=25°C
(3) T
amb
= −40 °C
Fig 1. DC current gain as a function of collector
current; typical values
Fig 2. Collector-emitter saturation voltage as a
function of collector current; typical values
V
CE
=0.3V
(1) T
amb
= −40 °C
(2) T
amb
=25°C
(3) T
amb
= 100 °C
V
CE
=5V
(1) T
amb
= −40 °C
(2) T
amb
=25°C
(3) T
amb
= 100 °C
Fig 3. On-state input voltage as a function of
collector current; typical values
Fig 4. Off-state input voltage as a function of
collector current; typical values
I
C
(mA)
10
−1
10
2
101
006aaa174
10
2
10
10
3
h
FE
1
(1)
(2)
(3)
I
C
(mA)
110
2
10
006aaa175
10
2
10
3
V
CEsat
(mV)
10
(1)
(2)
(3)
006aaa176
I
C
(mA)
10
−1
10
2
101
1
10
V
I(on)
(V)
10
−1
(1)
(3)
(2)
006aaa177
I
C
(mA)
10
−2
10110
−1
1
10
V
I(off)
(V)
10
−1
(1)
(3)
(2)