Datasheet

PDTB123ET All information provided in this document is subject to legal disclaimers. © NXP B.V. 2010. All rights reserved.
Product data sheet Rev. 3 — 22 September 2010 4 of 10
NXP Semiconductors
PDTB123ET
PNP 500 mA resistor-equipped transistor; R1 = 2.2 kΩ, R2 = 2.2 kΩ
V
CE
= −5V
(1) T
amb
= 100 °C
(2) T
amb
=25°C
(3) T
amb
= −40 °C
I
C
/I
B
=20
(1) T
amb
= 100 °C
(2) T
amb
=25°C
(3) T
amb
= −40 °C
Fig 1. DC current gain as a function of collector
current; typical values
Fig 2. Collector-emitter saturation voltage as a
function of collector current; typical values
V
CE
= −0.3 V
(1) T
amb
= −40 °C
(2) T
amb
=25°C
(3) T
amb
= 100 °C
V
CE
= −5V
(1) T
amb
= −40 °C
(2) T
amb
=25°C
(3) T
amb
= 100 °C
Fig 3. On-state input voltage as a function of
collector current; typical values
Fig 4. Off-state input voltage as a function of
collector current; typical values
006aaa353
1
10
10
2
10
3
h
FE
10
−1
I
C
(mA)
−10
−1
−10
3
−10
2
−1 −10
(1)
(2)
(3)
006aaa354
I
C
(mA)
−1 −10
2
−10
−10
−1
V
CEsat
(V)
−10
−2
(1)
(2)
(3)
006aaa355
I
C
(mA)
−10
−1
−10
3
−10
2
−1 −10
−1
−10
V
I(on)
(V)
−10
−1
(1)
(2)
(3)
I
C
(mA)
−10
−1
−10−1
006aaa356
−1
−10
V
I(off)
(V)
−10
−1
(1)
(2)
(3)