Datasheet

PDTA124X_SER_8 © NXP B.V. 2009. All rights reserved.
Product data sheet Rev. 08 — 3 September 2009 6 of 12
NXP Semiconductors
PDTA124X series
PNP resistor-equipped transistors; R1 = 22 kΩ, R2 = 47 kΩ
V
CE
= −5 V
(1) T
amb
= 100 °C
(2) T
amb
= 25 °C
(3) T
amb
= −40 °C
I
C
/I
B
= 20
(1) T
amb
= 100 °C
(2) T
amb
= 25 °C
(3) T
amb
= −40 °C
Fig 1. DC current gain as a function of collector
current; typical values
Fig 2. Collector-emitter saturation voltage as a
function of collector current; typical values
V
CE
= −0.3 V
(1) T
amb
= −40 °C
(2) T
amb
= 25 °C
(3) T
amb
= 100 °C
V
CE
= −5 V
(1) T
amb
= −40 °C
(2) T
amb
= 25 °C
(3) T
amb
= 100 °C
Fig 3. On-state input voltage as a function of
collector current; typical values
Fig 4. Off-state input voltage as a function of
collector current; typical values
I
C
(mA)
−10
−1
−10
2
−10−1
006aaa198
10
2
10
10
3
h
FE
1
(1)
(3)
(2)
006aaa199
I
C
(mA)
−10
−1
−10
2
−10−1
−10
2
−10
3
V
CEsat
(mV)
−10
(1)
(2)
(3)
006aaa200
I
C
(mA)
−10
−1
−10
2
−10−1
−10
3
−10
4
V
I(on)
(mV)
−10
2
(1)
(2)
(3)
006aaa201
I
C
(mA)
−10
−2
−10−1−10
−1
−10
3
−10
4
V
I(off)
(mV)
−10
2
(1)
(2)
(3)