Datasheet

PDTA123J_SER All information provided in this document is subject to legal disclaimers. © NXP B.V. 2011. All rights reserved.
Product data sheet Rev. 5 — 21 December 2011 8 of 17
NXP Semiconductors
PDTA123J series
PNP resistor-equipped transistors; R1 = 2.2 k, R2 = 47 k
V
CE
= 5V
(1) T
amb
= 100 C
(2) T
amb
=25C
(3) T
amb
= 40 C
I
C
/I
B
=20
(1) T
amb
= 100 C
(2) T
amb
=25C
(3) T
amb
= 40 C
Fig 6. DC current gain as a function of collector
current; typical values
Fig 7. Collector-emitter saturation voltage as a
function of collector current; typical values
V
CE
= 0.3 V
(1) T
amb
= 40 C
(2) T
amb
=25C
(3) T
amb
= 100 C
V
CE
= 5V
(1) T
amb
= 40 C
(2) T
amb
=25C
(3) T
amb
= 100 C
Fig 8. On-state input voltage as a function of
collector current; typical values
Fig 9. Off-state input voltage as a function of
collector current; typical values
I
C
(mA)
-10
-1
-10
2
-10-1
006aac814
10
2
10
10
3
h
FE
1
(1)
(2)
(3)
006aac815
I
C
(mA)
-10
-1
-10
2
-10-1
-10
-1
-1
V
CEsat
(V)
-10
-2
(1)
(2)
(3)
006aac816
I
C
(mA)
-10
-1
-10
2
-10-1
-1
-10
V
I(on)
(V)
-10
-1
(1)
(2)
(3)
006aac817
I
C
(mA)
-10
-1
-10-1
-1
V
I(off)
(V)
-10
-1
(1)
(2)
(3)