Datasheet

PBSS9410PA All information provided in this document is subject to legal disclaimers. © NXP B.V. 2010. All rights reserved.
Product data sheet Rev. 01 — 11 May 2010 7 of 15
NXP Semiconductors
PBSS9410PA
100 V, 2.7 A PNP low V
CEsat
(BISS) transistor
V
CE
= −2V
(1) T
amb
= 100 °C
(2) T
amb
=25°C
(3) T
amb
= −55 °C
T
amb
=25°C
Fig 6. DC current gain as a function of collector
current; typical values
Fig 7. Collector current as a function of
collector-emitter voltage; typical values
V
CE
= −2V
(1) T
amb
= −55 °C
(2) T
amb
=25°C
(3) T
amb
= 100 °C
I
C
/I
B
=20
(1) T
amb
= −55 °C
(2) T
amb
=25°C
(3) T
amb
= 100 °C
Fig 8. Base-emitter voltage as a function of collector
current; typical values
Fig 9. Base-emitter saturation voltage as a function
of collector current; typical values
006aac052
200
400
600
h
FE
0
I
C
(mA)
−10
−1
−10
4
−10
3
−1 −10
2
−10
(1)
(3)
(2)
V
CE
(V)
0 −5−4−2 −3−1
006aac053
−2
−3
−1
−4
−5
I
C
(A)
0
−5
I
B
(mA) = −40
−30
−35
−25
−45 −50
−20
−15
−10
006aac054
−0.4
−0.8
−1.2
V
BE
(V)
0.0
I
C
(mA)
−10
−1
−10
4
−10
3
−1 −10
2
−10
(1)
(3)
(2)
006aac055
−0.4
−0.8
−1.2
V
BEsat
(V)
0.0
I
C
(mA)
−10
−1
−10
4
−10
3
−1 −10
2
−10
(3)
(2)
(1)