Datasheet

2004 May 13 8
NXP Semiconductors Product data sheet
100 V, 1 A
PNP low V
CEsat (BISS)
transistor
PBSS9110T
001aaa381
I
C
(mA)
−10
−1
−10
4
−10
3
−1 −10
2
−10
−1
−10
V
BEsat
(V)
−10
−1
(1)
(2)
(3)
Fig.9 Base-emitter saturation voltage as a
function of collector current; typical values.
I
C
/I
B
= 10.
(1) T
amb
= −55 °C.
(2) T
amb
= 25 °C.
(3) T
amb
= 100 °C.
001aaa379
I
C
(mA)
−10
−1
−10
4
−10
3
−1 −10
2
−10
−1
−10
V
BEsat
(V)
−10
−1
Fig.10 Base-emitter saturation voltage as a
function of collector current; typical values.
I
C
/I
B
= 20.
T
amb
= 25 °C.
001aaa382
I
C
(mA)
−10
−1
−10
4
−10
3
−1 −10
2
−10
1
10
10
2
10
3
R
CEsat
(Ω)
10
−1
(1)
(2)
(3)
Fig.11 Equivalent on-resistance as a function of
collector current; typical values.
I
C
/I
B
= 10.
(1) T
amb
= −55 °C.
(2) T
amb
= 25 °C.
(3) T
amb
= 100 °C.
001aaa383
I
C
(mA)
−10
−1
−10
4
−10
3
−1 −10
2
−10
1
10
10
2
10
3
R
CEsat
(Ω)
10
−1
(1)
(2)
Fig.12 Equivalent on-resistance as a function of
collector current; typical values.
T
amb
= 25 °C.
(1) I
C
/I
B
= 50.
(2) I
C
/I
B
= 20.