Datasheet

2004 May 13 7
NXP Semiconductors Product data sheet
100 V, 1 A
PNP low V
CEsat (BISS)
transistor
PBSS9110T
001aaa376
200
400
600
h
FE
0
I
C
(mA)
−10
−1
−10
4
−10
3
−1 −10
2
−10
(1)
(2)
(3)
Fig.5 DC current gain as a function of collector
current; typical values.
V
CE
= −10 V.
(1) T
amb
= 100 °C.
(2) T
amb
= 25 °C.
(3) T
amb
= −55 °C.
001aaa377
−0.4
−0.8
−1.2
V
BE
(V)
0
I
C
(mA)
−10
−1
−10
4
−10
3
−1 −10
2
−10
(1)
(2)
(3)
Fig.6 Base-emitter voltage as a function of
collector current; typical values.
V
CE
= −10 V.
(1) T
amb
= −55 °C.
(2) T
amb
= 25 °C.
(3) T
amb
= 100 °C.
001aaa378
I
C
(mA)
−10
−1
−10
4
−10
3
−1 −10
2
−10
−10
−1
−1
V
CEsat
(V)
−10
−2
(1)
(2)
(3)
Fig.7 Collector-emitter saturation voltage as a
function of collector current; typical values.
I
C
/I
B
= 10.
(1) T
amb
= 100 °C.
(2) T
amb
= 25 °C.
(3) T
amb
= −55 °C.
001aaa380
I
C
(mA)
−10
−1
−10
4
−10
3
−1 −10
2
−10
−10
−1
−1
V
CEsat
(V)
−10
−2
(1)
(2)
Fig.8 Collector-emitter saturation voltage as a
function of collector current; typical values.
T
amb
= 25 °C.
(1) I
C
/I
B
= 50.
(2) I
C
/I
B
= 20.