Datasheet

PBSS9110D_3 © NXP B.V. 2009. All rights reserved.
Product data sheet Rev. 03 — 22 November 2009 7 of 13
NXP Semiconductors
PBSS9110D
100 V, 1 A PNP low V
CEsat
(BISS) transistor
I
C
/I
B
=10
(1) T
amb
= 100 °C
(2) T
amb
=25°C
(3) T
amb
= −55 °C
T
amb
=25°C
(1) I
C
/I
B
=50
(2) I
C
/I
B
=20
Fig 8. Collector-emitter saturation voltage as a
function of collector current; typical values
Fig 9. Collector-emitter saturation voltage as a
function of collector current; typical values
I
C
/I
B
=10
(1) T
amb
= −55 °C
(2) T
amb
=25°C
(3) T
amb
= 100 °C
T
amb
=25°C
(1) I
C
/I
B
=50
(2) I
C
/I
B
=20
Fig 10. Collector-emitter saturation resistance as a
function of collector current; typical values
Fig 11. Collector-emitter saturation resistance as a
function of collector current; typical values
001aaa378
I
C
(mA)
−10
−1
−10
4
−10
3
−1 −10
2
−10
−10
−1
−1
V
CEsat
(V)
−10
−2
(1)
(2)
(3)
001aaa380
I
C
(mA)
−10
−1
−10
4
−10
3
−1 −10
2
−10
−10
−1
−1
V
CEsat
(V)
−10
−2
(1)
(2)
001aaa382
I
C
(mA)
−10
−1
−10
4
−10
3
−1 −10
2
−10
1
10
10
2
10
3
R
CEsat
(Ω)
10
−1
(1)
(2)
(3)
001aaa383
I
C
(mA)
−10
−1
−10
4
−10
3
−1 −10
2
−10
1
10
10
2
10
3
R
CEsat
(Ω)
10
−1
(1)
(2)