Datasheet

PBSS9110D_3 © NXP B.V. 2009. All rights reserved.
Product data sheet Rev. 03 — 22 November 2009 6 of 13
NXP Semiconductors
PBSS9110D
100 V, 1 A PNP low V
CEsat
(BISS) transistor
V
CE
= −10 V
(1) T
amb
= 100 °C
(2) T
amb
=25°C
(3) T
amb
= −55 °C
T
amb
=25°C
Fig 4. DC current gain as a function of collector
current; typical values
Fig 5. Collector current as a function of
collector-emitter voltage; typical values
V
CE
= −10 V
(1) T
amb
= −55 °C
(2) T
amb
=25°C
(3) T
amb
= 100 °C
I
C
/I
B
=10
(1) T
amb
= −55 °C
(2) T
amb
=25°C
(3) T
amb
= 100 °C
Fig 6. Base-emitter voltage as a function of collector
current; typical values
Fig 7. Base-emitter saturation voltage as a function
of collector current; typical values
001aaa376
200
400
600
h
FE
0
I
C
(mA)
−10
−1
−10
4
−10
3
−1 −10
2
−10
(1)
(2)
(3)
V
CE
(V)
0 −5−4−2 −3−1
001aaa384
−0.8
−1.2
−0.4
−1.6
−2
I
C
(A)
0
I
B
(mA) = −45
−40.5
−36
−31.5
−27
−22.5
−18
−13.5
−9
−4.5
001aaa377
−0.4
−0.8
−1.2
V
BE
(V)
0
I
C
(mA)
−10
−1
−10
4
−10
3
−1 −10
2
−10
(1)
(2)
(3)
001aaa381
I
C
(mA)
−10
−1
−10
4
−10
3
−1 −10
2
−10
−1
−10
V
BEsat
(V)
−10
−1
(1)
(2)
(3)