Datasheet

PBSS8110Z_2 © NXP B.V. 2007. All rights reserved.
Product data sheet Rev. 02 — 8 January 2007 7 of 14
NXP Semiconductors
PBSS8110Z
100 V, 1 A NPN low V
CEsat
(BISS) transistor
V
CE
=10V
(1) T
amb
= 100 °C
(2) T
amb
=25°C
(3) T
amb
= −55 °C
T
amb
=25°C
Fig 5. DC current gain as a function of collector
current; typical values
Fig 6. Collector current as a function of
collector-emitter voltage; typical values
V
CE
=10V
(1) T
amb
= −55 °C
(2) T
amb
=25°C
(3) T
amb
= 100 °C
I
C
/I
B
=10
(1) T
amb
= −55 °C
(2) T
amb
=25°C
(3) T
amb
= 100 °C
Fig 7. Base-emitter voltage as a function of collector
current; typical values
Fig 8. Base-emitter saturation voltage as a function of
collector current; typical values
001aaa497
200
400
600
h
FE
0
I
C
(mA)
10
−1
10
4
10
3
110
2
10
(1)
(2)
(3)
V
CE
(V)
054231
001aaa496
0.8
1.2
0.4
1.6
2
I
C
(A)
0
31.5
24.5
17.5
10.5
28
21
14
7
3.5
I
B
(mA) = 35
006aaa986
0.4
0.8
1.2
V
BE
(V)
0
I
C
(mA)
10
−1
10
4
10
3
110
2
10
(1)
(2)
(3)
006aaa987
I
C
(mA)
10
−1
10
4
10
3
110
2
10
1
10
V
BEsat
(V)
10
−1
(1)
(2)
(3)