Datasheet
PBSS8110X_2 © NXP B.V. 2009. All rights reserved.
Product data sheet Rev. 02 — 11 December 2009 7 of 15
NXP Semiconductors
PBSS8110X
100 V, 1 A NPN low V
CEsat
(BISS) transistor
V
CE
=10V
(1) T
amb
= 100 °C
(2) T
amb
= 25 °C
(3) T
amb
= −55 °C
V
CE
=10V
(1) T
amb
= −55 °C
(2) T
amb
= 25 °C
(3) T
amb
= 100 °C
Fig 5. DC current gain as a function of collector
current; typical values
Fig 6. Base-emitter voltage as a function of collector
current; typical values
I
C
/I
B
=10
(1) T
amb
= 100 °C
(2) T
amb
= 25 °C
(3) T
amb
= −55 °C
I
C
/I
B
= 20; T
amb
= 25 °C
Fig 7. Collector-emitter saturation voltage as a
function of collector current; typical values
Fig 8. Collector-emitter saturation voltage as a
function of collector current; typical values
001aaa497
200
400
600
h
FE
0
I
C
(mA)
10
−1
10
4
10
3
110
2
10
(1)
(2)
(3)
001aaa495
V
BE
(mV)
I
C
(mA)
10
−1
10
4
10
3
110
2
10
(1)
(2)
(3)
600
400
800
1000
200
(1)
(2)
(3)
001aaa504
I
C
(mA)
10
−1
10
4
10
3
110
2
10
10
−1
1
V
CEsat
(V)
10
−2
001aaa505
I
C
(mA)
10
−1
10
4
10
3
110
2
10
10
2
10
3
V
CEsat
(mV)
10