Datasheet

PBSS5630PA_1 All information provided in this document is subject to legal disclaimers. © NXP B.V. 2010. All rights reserved.
Product data sheet Rev. 01 — 19 March 2010 7 of 15
NXP Semiconductors
PBSS5630PA
30 V, 6 A PNP low V
CEsat
(BISS) transistor
V
CE
= 2V
(1) T
amb
= 100 C
(2) T
amb
=25C
(3) T
amb
= 55 C
T
amb
=25C
Fig 6. DC current gain as a function of collector
current; typical values
Fig 7. Collector current as a function of
collector-emitter voltage; typical values
V
CE
= 2V
(1) T
amb
= 55 C
(2) T
amb
=25C
(3) T
amb
= 100 C
I
C
/I
B
=20
(1) T
amb
= 55 C
(2) T
amb
=25C
(3) T
amb
= 100 C
Fig 8. Base-emitter voltage as a function of collector
current; typical values
Fig 9. Base-emitter saturation voltage as a function
of collector current; typical values
006aab991
200
400
600
h
FE
0
I
C
(mA)
−10
−1
−10
4
−10
3
−1 −10
2
−10
(1)
(3)
(2)
V
CE
(V)
0.0 −5.0−4.0−2.0 −3.0−1.0
006aab992
−4.0
−2.0
−6.0
−8.0
I
C
(A)
0.0
−5
−10
−40
−45
−35
−30
−25
−20
−15
I
B
(mA) = −50
006aab993
−0.4
−0.8
−1.2
V
BE
(V)
0.0
I
C
(mA)
−10
−1
−10
4
−10
3
−1 −10
2
−10
(1)
(3)
(2)
006aab994
−0.4
−0.8
−1.2
V
BEsat
(V)
0.0
I
C
(mA)
−10
−1
−10
4
−10
3
−1 −10
2
−10
(1)
(3)
(2)