Datasheet

2001 Sep 21 5
NXP Semiconductors Product data sheet
40 V low V
CEsat
PNP transistor
PBSS5540Z
handbook, halfpage
0
1000
200
400
600
800
MGU391
−1
h
FE
I
C
(mA)
−10 −10
2
−10
3
−10
4
(1)
(2)
(3)
Fig.2 DC current gain as a function of collector
current; typical values.
V
CE
= −2 V.
(1) T
amb
= 150 °C.
(2) T
amb
= 25 °C.
(3) T
amb
= −55 °C.
handbook, halfpage
0
−1.2
−0.4
−0.8
MGU393
−10
−1
−1 −10 −10
2
−10
3
−10
4
I
C
(mA)
V
BE
(V)
(1)
(2)
(3)
Fig.3 Base-emitter voltage as a function of
collector current; typical values.
V
CE
= −2 V.
(1) T
amb
= 150 °C.
(2) T
amb
= 25 °C.
(3) T
amb
= −55 °C.
handbook, halfpage
−10
3
−10
2
−10
−1
−10
−1
MGU395
−1 −10
I
C
(mA)
V
CEsat
(mV)
−10
2
−10
3
−10
4
(1)
(3)
(2)
Fig.4 Collector-emitter saturation voltage as a
function of collector current; typical values.
I
C
/I
B
= 20.
(1) T
amb
= 150 °C.
(2) T
amb
= 25 °C.
(3) T
amb
= −55 °C.
handbook, halfpage
0
−1.2
−0.4
−0.8
MGU394
−10
−1
−1 −10 −10
2
−10
3
−10
4
I
C
(mA)
V
BEsat
(V)
(1)
(2)
(3)
Fig.5 Base-emitter saturation voltage as a
function of collector current; typical values.
I
C
/I
B
= 20.
(1) T
amb
= 150 °C.
(2) T
amb
= 25 °C.
(3) T
amb
= −55 °C.