Datasheet

2004 Nov 08 9
NXP Semiconductors Product data sheet
80 V, 4 A
PNP low V
CEsat
(BISS) transistor
PBSS5480X
001aaa757
−1
−10
−1
V
CEsat
(V)
−10
−2
I
C
(mA)
−10
−1
−10
4
−10
3
−1 −10
2
−10
(1)
(3)
(2)
Fig.10 Collector-emitter saturation voltage as a
function of collector current; typical values.
I
C
/I
B
= 20.
(1) T
amb
= 100 °C.
(2) T
amb
= 25 °C.
(3) T
amb
= −55 °C.
001aaa758
−10
−1
−10
−2
−1
V
CEsat
(V)
−10
−3
I
C
(mA)
−10
−1
−10
4
−10
3
−1 −10
2
−10
(1)
(2)
(3)
Fig.11 Collector-emitter saturation voltage as a
function of collector current; typical values.
T
amb
= 25 °C.
(1) I
C
/I
B
= 100.
(2) I
C
/I
B
= 50.
(3) I
C
/I
B
= 10.
001aaa759
−0.4
−0.8
−1.2
V
BEsat
(V)
0
I
C
(mA)
−10
−1
−10
4
−10
3
−1 −10
2
−10
(1)
(2)
(3)
Fig.12 Base-emitter saturation voltage as a
function of collector current; typical values.
I
C
/I
B
= 20.
(1) T
amb
= −55 °C.
(2) T
amb
= 25 °C.
(3) T
amb
= 100 °C.
001aaa760
−0.4
−0.8
−1.2
V
BEon
(V)
0
I
C
(mA)
−10
−1
−10
4
−10
3
−1 −10
2
−10
Fig.13 Base-emitter turn-on voltage as a function
of collector current; typical values.
T
amb
= 25 °C; V
CE
= −2 V.