Datasheet

2004 Nov 08 8
NXP Semiconductors Product data sheet
80 V, 4 A
PNP low V
CEsat
(BISS) transistor
PBSS5480X
V
CE
(V)
0 −2−1.6−0.8 −1.2−0.4
001aaa753
−4
−6
−2
−8
−10
I
C
(A)
0
(1)
(10)
(2)(3)(4)
(9)
(8)
(7)
(6)
(5)
Fig.6 Collector current as a function of
collector-emitter voltage; typical values.
(1) I
B
= −300 mA.
(2) I
B
= −270 mA.
(3) I
B
= −240 mA.
(4) I
B
= −210 mA.
(5) I
B
= −180 mA.
(6) I
B
= −150 mA.
(7) I
B
= −120 mA.
(8) I
B
= −90 mA.
(9) I
B
= −60 mA.
(10) I
B
= −30 mA.
001aaa754
−0.4
−0.8
−1.2
V
BE
(V)
0
I
C
(mA)
−10
−1
−10
4
−10
3
−1 −10
2
−10
(2)
(1)
(3)
Fig.7 Base-emitter voltage as a function of
collector current; typical values.
V
CE
= −2 V.
(1) T
amb
= −55 °C.
(2) T
amb
= 25 °C.
(3) T
amb
= 100 °C.
001aaa755
200
400
600
h
FE
0
I
C
(mA)
−10
−1
−10
4
−10
3
−1 −10
2
−10
(1)
(2)
(3)
Fig.8 DC current gain as a function of collector
current; typical values.
V
CE
= −2 V.
(1) T
amb
= 100 °C.
(2) T
amb
= 25 °C.
(3) T
amb
= −55 °C.
I
C
(mA)
−10
−1
−10
4
−10
3
−1 −10
2
−10
001aaa756
1
10
−1
10
2
10
10
3
R
CEsat
(Ω)
10
−2
(1)
(3)
(2)
Fig.9 Equivalent on-resistance as a function of
collector current; typical values.
I
C
/I
B
= 20.
(1) T
amb
= 100 °C.
(2) T
amb
= 25 °C.
(3) T
amb
= −55 °C.