Datasheet

PBSS5440D_2 © NXP B.V. 2010. All rights reserved.
Product data sheet Rev. 02 — 14 December 2009 8 of 13
NXP Semiconductors
PBSS5440D
40 V PNP low V
CEsat
(BISS) transistor
I
C
/I
B
=20
(1) T
amb
= −55 °C
(2) T
amb
= 25 °C
(3) T
amb
= 100 °C
T
amb
= 25 °C
(1) I
C
/I
B
= 100
(2) I
C
/I
B
=50
(3) I
C
/I
B
=10
Fig 9. Base-emitter saturation voltage as a function
of collector current; typical values
Fig 10. Collector-emitter saturation resistance as a
function of collector current; typical values
I
C
(mA)
−10
−1
−10
5
−10
4
−10
3
−1 −10
2
−10
006aaa287
−0.5
−0.9
−1.3
V
BEsat
(V)
−0.1
(1)
(2)
(3)
I
C
(A)
−10
−1
−10
4
−10
3
−1 −10
2
−10
006aaa327
1
10
−1
10
2
10
10
3
R
CEsat
(Ω)
10
−2
(2)
(1)
(3)
T
amb
=25°CI
C
/I
B
=20
(1) T
amb
= 100 °C
(2) T
amb
= 25 °C
(3) T
amb
= −55 °C
Fig 11. Collector current as a function of
collector-emitter voltage; typical values
Fig 12. Collector-emitter saturation resistance as a
function of collector current; typical values
V
CE
(V)
0 −2.0−1.6−0.8 −1.2−0.4
006aaa288
−4
−8
−12
I
C
(A)
0
I
B
(mA) = −400
−360
−280
−240
−200
−160
−120
−80
−40
−320
006aaa289
I
C
(mA)
−10
−1
−10
4
−10
3
−1 −10
2
−10
10
−1
1
10
10
2
R
CEsat
(Ω)
10
−2
(1)
(2)
(3)