Datasheet

PBSS5440D_2 © NXP B.V. 2010. All rights reserved.
Product data sheet Rev. 02 — 14 December 2009 7 of 13
NXP Semiconductors
PBSS5440D
40 V PNP low V
CEsat
(BISS) transistor
V
CE
= −2V
(1) T
amb
= 100 °C
(2) T
amb
= 25 °C
(3) T
amb
= −55 °C
V
CE
= −2V
T
amb
= 25 °C
Fig 5. DC current gain as a function of collector
current; typical values
Fig 6. Base-emitter voltage as a function of collector
current; typical values
I
C
/I
B
=20
(1) T
amb
= 100 °C
(2) T
amb
= 25 °C
(3) T
amb
= −55 °C
T
amb
= 25 °C
(1) I
C
/I
B
= 100
(2) I
C
/I
B
=50
(3) I
C
/I
B
=10
Fig 7. Collector-emitter saturation voltage as a
function of collector current; typical values
Fig 8. Collector-emitter saturation voltage as a
function of collector current; typical values
I
C
(mA)
−10
−1
−10
5
−10
4
−10
3
−1 −10
2
−10
006aaa282
200
400
600
h
FE
0
(1)
(2)
(3)
I
C
(mA)
−10
−1
−10
5
−10
4
−10
3
−1 −10
2
−10
006aaa283
−0.8
−0.4
−1.2
−1.6
V
BE
(V)
0
006aaa284
−10
−1
−10
−2
−1
V
CEsat
(V)
−10
−3
I
C
(mA)
−10
−1
−10
4
−10
3
−1 −10
2
−10
(1)
(2)
(3)
−10
−1
−10
−2
−1
V
CEsat
(V)
−10
−3
006aaa285
I
C
(mA)
−10
−1
−10
5
−10
4
−10
3
−1 −10
2
−10
(1)
(2)
(3)