Datasheet

PBSS5420D_2 © NXP B.V. 2008. All rights reserved.
Product data sheet Rev. 02 — 29 September 2008 8 of 14
NXP Semiconductors
PBSS5420D
20 V, 4 A PNP low V
CEsat
(BISS) transistor
I
C
/I
B
= 20
(1) T
amb
= 100 °C
(2) T
amb
= 25 °C
(3) T
amb
= −55 °C
T
amb
= 25 °C
(1) I
C
/I
B
= 100
(2) I
C
/I
B
= 50
(3) I
C
/I
B
= 10
Fig 9. Collector-emitter saturation voltage as a
function of collector current; typical values
Fig 10. Collector-emitter saturation voltage as a
function of collector current; typical values
I
C
/I
B
= 20
(1) T
amb
= 100 °C
(2) T
amb
= 25 °C
(3) T
amb
= −55 °C
T
amb
= 25 °C
(1) I
C
/I
B
= 100
(2) I
C
/I
B
= 50
(3) I
C
/I
B
= 10
Fig 11. Collector-emitter saturation resistance as a
function of collector current; typical values
Fig 12. Collector-emitter saturation resistance as a
function of collector current; typical values
006aaa338
−10
−2
−10
−1
−1
−10
V
CEsat
(V)
−10
−3
I
C
(mA)
−10
−1
−10
5
−10
4
−10
3
−1 −10
2
−10
(1)
(2)
(3)
006aaa339
−10
−2
−10
−1
−1
−10
V
CEsat
(V)
−10
−3
I
C
(mA)
−10
−1
−10
5
−10
4
−10
3
−1 −10
2
−10
(2)
(1)
(3)
006aaa343
10
−1
1
10
10
2
R
CEsat
(Ω)
10
−2
I
C
(mA)
−10
−1
−10
5
−10
4
−10
3
−1 −10
2
−10
(3)
(1)
(2)
1
10
−1
10
2
10
10
3
R
CEsat
(Ω)
10
−2
006aaa341
I
C
(mA)
−10
−1
−10
5
−10
4
−10
3
−1 −10
2
−10
(1)
(2)
(3)