Datasheet

2003 May 13 5
NXP Semiconductors Product data sheet
50 V low V
CEsat
PNP transistor
PBSS5350Z
handbook, halfpage
0
h
FE
I
C
(mA)
1000
200
400
600
800
MGW167
−10
−1
−1 −10 −10
2
−10
3
−10
4
(1)
(2)
(3)
Fig.2 DC current gain as a function of collector
current; typical values.
V
CE
= −2 V.
(1) T
amb
= 150 °C.
(2) T
amb
= 25 °C.
(3) T
amb
= −55 °C.
handbook, halfpage
0
I
C
(mA)
V
BE
(V)
−1.2
−0.4
−0.8
MGW168
−10
−1
−1 −10 −10
2
−10
3
−10
4
(1)
(2)
(3)
Fig.3 Base-emitter voltage as a function of
collector current; typical values.
V
CE
= −2 V.
(1) T
amb
= −55 °C.
(2) T
amb
= 25 °C.
(3) T
amb
= 150 °C.
handbook, halfpage
I
C
(mA)
−10
3
−10
2
−10
−1
MGW169
−10
−1
−1 −10 −10
2
−10
3
−10
4
V
CEsat
(mV)
(1)
(2)
(3)
Fig.4 Collector-emitter saturation voltage as a
function of collector current; typical values.
I
C
/I
B
= 10.
(1) T
amb
= 150 °C.
(2) T
amb
= 25 °C.
(3) T
amb
= −55 °C.
handbook, halfpage
I
C
(mA)
−1.4
−0.8
−0.6
−0.4
−0.2
−1.0
−1.2
MGW170
−10
−1
−1 −10 −10
2
−10
3
−10
4
V
BEsat
(V)
(1)
(2)
(3)
Fig.5 Base-emitter saturation voltage as a
function of collector current; typical values.
I
C
/I
B
= 10.
(1) T
amb
= −55 °C.
(2) T
amb
= 25 °C.
(3) T
amb
= 150 °C.