Datasheet

2004 Jan 09 7
NXP Semiconductors Product data sheet
50 V; 3 A NPN low V
CEsat
(BISS) transistor
PBSS4350T
handbook, halfpage
10
3
10
2
10
1
10
−2
10
−1
MLD875
10
−1
110
I
C
(mA)
R
CEsat
(Ω)
10
3
10
2
10
4
(1)
(3)
(2)
Fig.10 Equivalent on-resistance as a function of
collector current; typical values.
I
C
/I
B
= 20.
(1) T
amb
= 150 °C.
(2) T
amb
= 25 °C.
(3) T
amb
= −55 °C.